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高頻Q表法介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

型 號(hào)GDAT-A

更新時(shí)間2024-11-22

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:高頻Q表法介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

產(chǎn)品概述

高頻Q表法介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀由916測(cè)試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的解決方案。

 

 

 

高頻Q表法介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

 

電感測(cè)量

a.測(cè)量范圍:0.1μH~1H。

b.分 檔:分七個(gè)量程。

0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,

0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。

 

 

 

振蕩頻率

a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;

b.頻率分檔:

25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,

1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。

c.頻率誤差:2×10±1個(gè)字。

Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~999。

 

 

 

各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

 

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

 

1、液體介電常數(shù)測(cè)定儀

2、低頻介電常數(shù)測(cè)試儀

3、高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

4、塑料介電常數(shù)測(cè)試儀

5、聚乙烯介電常數(shù)測(cè)定儀

6、硅橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

7、橡膠介電常數(shù)測(cè)定儀

8、材料介電常數(shù)測(cè)定儀

9、薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀

10、聚酯薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀

11、聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

12、介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

 

 

 

裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

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